Memórias HBM3E da Samsung teriam sido reprovadas em teste de qualidade da NVIDIA

A memória HBM3E da Samsung foi reprovada no teste de qualidade da NVIDIA. Segundo a Reuters, os módulos da gigante sul-coreana não atenderam às expectativas da gigante das GPUs liderada por Jensen Huang. Os principais motivos para o fracasso nos testes seriam o aquecimento excessivo dos chips e alto consumo de energia.

A Samsung desmentiu as informações e afirmou que trabalha em estreita colaboração com seus parceiros para otimizar novos produtos. “Alegações de falha devido ao consumo de calor e energia não são verdadeiras, os testes estavam prosseguindo sem problemas e conforme planejado”, afirmou a Samsung.

HBM, alto desempenho para aceleradores de IA

Evolução das famosas memórias de alta largura de banda (HBM), a versão HBM3E e HBM3 interessa à NVIDIA em um dos segmentos-chave para a empresa, equipar seus aceleradores para inteligência artificial. A nova geração de produtos dessa categoria da empresa são as GPUs Blackwell.

Cogita-se também que o problema dos chips de memória da Samsung não seria na questão do desenvolvimento da tecnologia em si, mas nos padrões de qualidade de produção, que estariam abaixo do que é entregue pela SK Hynix, que teria sido usada pela NVIDIA como base de comparação. A Samsung foi a primeira companhia a desenvolver memórias HBM3E de 12 stacks com 36 GB e uma largura de banda de 1.280GB/s.

A NVIDIA não se pronunciou publicamente sobre os possíveis problemas com as memórias da Samsung