Samsung produz memórias NAND DDR e de 3 bits, a 30 nm

A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa de duas variantes de sua memória flash NAND de 30 nanômetros. A primeira trata-se de uma nova memória NAND, de célula multi-nível e DDR (double data rate): esta, assim como a memória RAM DDR, consegue lidar com duas vezes mais dados em um determinado ciclo, e promete ser muito mais rápida que os atuais chips NAND, historicamente lentos. A companhia coreana afirma que a novidade é três vezes mais rápida, estimando que uma única célula NAND multi-nível DDR pode ler dados a 133 Mbps, contra os 40 Mbps da versão anterior.

Em dispositivos mais complexos, como cartões de memória, o armazenamento pode ter velocidade de leitura sustentada de 60 Mbps, mais de três vezes também que um cartão regular que lê a 17 Mbps. O aumento de velocidade também ocorre em chips de nível simples (single layer) de 32 Gigabits (4 GB), sem afetar o consumo de energia. Isso permite a utilização do chip em gadgets, como tocadores portáteis e smartphones, além de SSDs.

Além desta veloz novidade, há outra, que foca na densidade: a memória de 3 bits por célula. Como sugerido pelo nome, a tecnologia oferece aproximadamente 50% mais armazenamento no mesmo espaço ocupado por uma célula flash de 2 bits por célula. A Samsung espera que este tipo de memória não seja usada em tarefas que necessitem altas velocidades, e sim em mídias removíveis.

A memória flash de 3 bits por célula será implementada inicialmente em cartões microSDHC de 8 GB, eventualmente expandindo para cartões maiores e pendrives. A empresa anda quieta a respeito dos propósitos específicos do NAND DDR, alegando apenas que os “principais integradores” estão lidando com a rápida memória. Vale lembrar que a Apple é sempre uma das primeiras a utilizarem novas tecnologias derivadas da Samsung.